三星Galaxy Z Flip在DXOMARK Selfie自拍测试中取得了83分的总体得分，官方称其在高光下可以拍出大致准确的脸部曝光度、合理的动态范围以及饱和而悦目的色彩，但是曝光、对焦、纹理和散景等得分较低，影响了照片得分。
Galaxy Z Flip 前置摄像头的整体图像质量远远落后于我们测试过的其他最近的旗舰产品。尽管室内和户外曝光、动态范围和色彩都超出了一般水平，但并不出色。再加上对焦距离有限，纹理不多，散景照片中的散景效果平庸，以及低光下的拍摄成效不佳，Galaxy Z Flip 的自拍照不会特别振奋人心。折叠屏是该手机的主要卖点，您可能会为了它的便利性和便携性而愿意牺牲一些摄像头质量，但在这个价格范围内，认真的自拍爱好者还有其他更好的选择。
关键字：三星编辑：北极风 引用地址：DXOMARK：三星Galaxy Z Flip相机自拍得83分
本文部分节选自在下周的VLSI会议上，英特尔将发布两篇论文，介绍即将推出的 PowerVia 芯片制造技术的进展。而在第三篇论文中，英特尔技术专家Mauro Kobrinsky还将阐述英特尔对PowerVia更先进部署方法的研究成果，如同时在晶圆正面和背面实现信号传输和供电。 PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。 作为延续摩尔定律的关键技术， 英特尔将PowerVia技术和RibbonFET晶体管的研发分开进行 ，以确保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生产中。在与同样将与Intel 20A制程节点一同推出的
和台积电 /
前几天ARM发布了新一代的Cortex-X4/A720/A520 CPU架构，这是今年及明年ARM处理器的主力，高通下一代旗舰骁龙8G4也会继续用X4超大核，并且升级3nm工艺。此前传闻骁龙8G4明年会有2个3nm版本，有三星及台积电两家同时代工，都是3nm工艺，但细节不同。 正统的骁龙8G4会由台积电的N3E工艺代工，这个是台积电第二代3nm工艺了，比N3工艺成本更低一些clash打游戏皇室战争动画视频clasharome，也是高通、AMD、NVIDIA等公司大规模采用的3nm。 三星那边的代工会使用三星的3nm GAP工艺，也是三星的第二代3nm高性能工艺，比初代的3nm GAE低功耗工艺更好。 虽然高通再次使用三星工艺代工有助于降低成本，但是最新的爆料又推翻了骁
或已出局 /
半导体将减少10%晶圆投片量 EUV产线 日消息，据韩媒 Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。 报道称，三星半导体将在第三季度开始，对华城园区 S3 工厂进行减产作业。S3 工厂是三星半导体于 2018 年建成投产的 12 英寸生产线nm 产品，也是三星半导体 EUV 先进工艺的主力生产厂之一，三星为其部署了多台 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻机。 Aju News 指出，此次减产是三星近几年来首度人为减少半导体工厂晶圆投片量。 业内人士指出，在半导体行业低迷期，三星为了逆周期投资以挤压台积电等竞争对手clash打游戏，直至今年年初仍
很多人不看好三星。 比如芯片代工业务，三星永远排在老大哥台积电的后面；智能手机业务，前面似乎也总有一个Apple，何况在中国市场上，三星手机的份额已是少得可怜。 但无论如何，你都不能忽略一点，三星是个名副其实的科技巨头，也是韩国最大的“财阀”之一。2022年，三星集团年营收302.23 万亿韩元（约合2455亿美元）。这个数字，几乎是 华为 同年营收的2.5倍。 试想一下，如果三星突然宣布要重回烧钱的造车行业，那会是一个怎样的场景。 难忘朱砂痣 三星已故会长李健熙举行SM5的试驾活动；韩国《每日经济新闻》 造车，想必是三星心头那颗最难释怀的“朱砂痣”。 1987年，45岁的李健熙从其父、三星创始人
从造车开始收敛野心 /
据外媒报道皇室战争动画视频clasharome！，在向汽车厂商供应刚性OLED面板的三星显示，已计划将混合技术的OLED面板，用于汽车。 从外媒的报道来看，混合技术的OLED面板皇室战争动画视频clasharome，是采用刚性OLED面板的玻璃基板，但也采用柔性面板常用的薄膜封装技术的面板。 与采用两层玻璃板不同，混合技术的OLED面板，顶部的玻璃板被薄膜封装所取代，同时底部的玻璃基板也能更薄，就能制成弯曲面板，这是刚性OLED面板难以实现的。 外媒在报道中还提到，三星显示是计划在6代的A3生产线上，大规模生产混合技术的OLED面板。同当前仅生产刚性OLED面板的5.5代线生产线采用尺寸更大的基板，每块基板能产出更多的30英寸或更大尺寸的面板。 值得注意的是，结合了柔性面板和刚性
5 月 19 日消息，据 digitime 报道，继长江存储传出将调涨 NAND 产品价格后，有消息指出韩国三星电子、SK 海力士也将跟进 3~5% 涨幅。 消息称，长江存储率先发出涨价通知，将针对企业级客户调升 NAND 价格 3~5%，首波调涨的是 232 层 NAND 的先进存储器产品，但涨价信息并未获得长江存储的官方确认。有业界人士认为是特定人士透过市场信息操作价格皇室战争动画视频clasharome。 业界人士透露，继长江存储涨价消息传出后，现在三星、SK 海力士也迫不及待进行跟进。据了解，此次韩国半导体厂商存储产品的价格涨幅同样在 3~5%。 韩国半导体库存总额已接近 50 万亿韩元，其中，三星半导体在库产品金额最多clash royale mod，达到 31.9 万亿韩元（
现场抽取PS5等诸多好礼 SiFive RISC-V 中国技术论坛 上海、北京、深圳 3场线下活动邀您出席！
高通凭借Snapdragon Spaces的里程碑，加速构建开放的XR开发者生态系统
Teledyne e2v 新款 8K 图像传感器为高吞吐量物流视觉系统提供宽视场
AT256 A4 pro4全品种集成电路筛选测试仪的原理和功能用途分析
已结束 TI 新一代 MSP430 产品在低成本超声波水表中的方案介绍及快速应用指南
【边分享，边成长，11月有奖】EEWORLD优秀主题/回复第16期活动开始拉
艾睿电子线上研讨会：英特尔FPGA深度学习加速技术 7月30日上午10:00-11:30 期待您的莅临！
基带/AP/平台射频技术面板/显示存储技术电源管理音频/视频嵌入式软件/协议接口/其它便携/移动产品综合资讯论坛惊奇科技
